三星目标在2025年量产2纳米GAA晶圆 同时还将准备三种3纳米变体

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德国判决三星侵犯中国大唐4G专利 几乎所有在售手机均面临销毁

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三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

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靠AI彻底翻身？三星电子Q1利润暴增 芯片业务扭亏为盈

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传三星因成本原因放弃在下一代旗舰机中采用更大的电池和更快的充电速度

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三星或于7月10日举办发布会 智能戒指、折叠产品将登场

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全球首款骁龙8 Gen3小折叠 三星Galaxy Z Flip6/Fold6蓄势待发

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英国运营商EE列表显示三星Galaxy S24 FE型号确实存在

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三星推出价格高得离谱的50W双端口充电头

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三星与AMD签订价值30亿美元的HBM3E 12H供货协议

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三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

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三星2024款BAR Plus U盘国行上架：最高512GB 读速400MB/s 79.9元起

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三星Galaxy Ring型号泄露 对应八种不同尺寸

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消息称三星电子NAND厂开工率已提高至90%

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三星Galaxy S24 FE正在开发中 可能于2024年底推出

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Galaxy S21/S22系列屏幕翻车出绿线 三星印度宣布免费换屏

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三星Galaxy Z Flip 6美版现身 Geekbench搭载骁龙8 Gen 3芯片 内存依然8GB

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Galaxy S21用户在软件更新后出现屏幕绿线问题 问题报告堆积如山

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三星将高管工作周改为六天 以"注入危机感"

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据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4

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16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

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三星推出512GB容量的BAR Plus和FIT Plus USB闪存盘

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三星开发出业界速度最快的 10.7Gbps LPDDR5X DRAM

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三星电子将获得高达64亿美元美国补贴 用于建设高端芯片工厂

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三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

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传三星将大型OLED研发人员调往中小尺寸OLED部门

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三星Galaxy Watch 7 Pro电池出现在印度BIS上 预示产品即将上市

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关键人物回归 三星电子将开启并购潮

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三星电子最快下周宣布440亿美元美国芯片投资计划

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三星电子五大工会27000人计划4月17日集体罢工

2024-04-11300