三星为Galaxy S24系列机型找到第四家电池供应商 来自印度

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三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

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三星公布芯片计划：3年内量产2纳米 5年内超越台积电

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15999元轻薄大折叠旗舰 三星W24图赏

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三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND

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三星积极推进第五代HBM3e 传输速度高达1.228 TB/s

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三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

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三星将在明年量产300层NAND闪存芯片 2030年实现1000层

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三星将升级西安工厂NAND芯片工艺至236层

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三星电子上半年现金储备达4319亿元：相当于韩国一季度GDP的1/6

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三星将于明年1月正式发布Galaxy S24系列

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三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

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搭载Exynos 2400的Galaxy S24 Plus亮相Geekbench 性能媲美骁龙 8 Gen 3

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搭载骁龙处理器的三星Galaxy S24 Ultra跑分数据出现在Geekbench上

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三星电子三季度利润环比增超两倍，半导体业务或亏超3万亿韩元

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继Google之后 三星加入讽刺广告行列 称应“帮助苹果支持RCS”

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全球芯片供应持续过剩 三星第三季度营业利润或下滑80%

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搭载Exynos 2200的Galaxy S23 FE在测试中表现出优秀的性能稳定性

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传三星将为智能手机测试"组合线圈天线" 以实现更好的散热和可靠的功能

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四边等宽骁龙8 Gen3旗舰 三星Galaxy S24系列更多细节曝光

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三星计划在DRAM行业"反弹"之际提高DDR5产量

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三星Galaxy Ring智能指环最快明年Q3推出 共四种尺寸

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三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺

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苹果曾与三星洽谈5G调制解调器合作事宜 但因供应不足而告吹

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传三星Galaxy S24 Ultra全系标配骁龙8 Gen3 没有Exynos版本

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三星990 Pro 4TB固态盘登陆国内 售价2299元

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三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

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三星发力AI芯片 与Rebellions等公司达成代工合作

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三星全新移动固态硬盘T9上架 读取/写入速度达2000MB/s

2023-10-061121

三星电子计划从下月起大幅提高NAND闪存价格

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