路透社11月6日援引《The Information》报道称，台积电正考虑跨足先进存储器制造，拟研究生产3D DRAM。据两名知情人士透露，这项规划是在英伟达提出需求后启动，目标是让台积电在人工智能硬件供应链中获得更大份额。报道还称，相关工作由负责先进封装业务的副总经理徐国晋主导。

传出的方案包括新建存储芯片工厂，或收购现有厂房并改造为存储器产线；生产何时开始则没有明确时间表。3D DRAM将存储单元垂直堆叠，以提高单位面积的存储容量，与目前主要在平面结构中制造存储单元的DRAM不同。若落实，台积电将进入三星、SK海力士和美光长期主导的市场。

不过，台积电随后向Tom’s Hardware表示，公司始终专注于专业集成电路代工，长期目标是为全球逻辑芯片产业提供技术与产能。这一回应实际上否认了报道所称的存储器制造计划；台积电和英伟达在路透社询问时均未立即置评。

相关传闻出现之际，人工智能数据中心需求推高存储芯片需求与价格，芯片设计公司正寻找更多供应来源。台积电目前虽为客户提供先进封装等服务，但自行制造DRAM将意味着进入新的业务领域；现阶段没有公开证据显示公司已决定投资或推进3D DRAM量产。