中国长鑫存储（CXMT）已完成LPDDR5X内存的开发阶段，正积极尝试缩小与三星之间的技术差距。这一消息无疑给三星内存部门敲响了警钟，最新报告指出，这家韩国巨头已全力投入下一代LPDDR6内存芯片的开发，据称该芯片将提供更高的带宽，同时降低功耗。

据称，较新的 LPDDR6 RAM 标准将在三星的“1c DRAM”上量产，这将确保该公司在与中国竞争对手的竞争中获得显著优势。

爆料人@Jukanlosreve看到的《商业邮报》一篇报道称，长鑫存储今年已开始研发LPDDR6内存芯片。业内观察人士推测，按照目前的速度，这家中国制造商最早可能在2026年就实现全面量产。三星不甘落后，加快研发LPDDR6内存技术的步伐的优势在于这些内存芯片将采用该公司先进的1c DRAM工艺制造。

基于上述架构的内存芯片的量产可以让三星在与中国厂商的竞争中占据明显优势，因为LPDDR6 RAM 预计将成为人工智能、移动计算、机器人技术和自动驾驶汽车等各种应用的重要组成部分，量产 DRAM 区分成多种工艺，“1x”代表第一代，“1c”代表第六代。随着每一代技术的迭代，厂商都能突破一定的性能和效率上限。

据报道，高通将成为首家在其产品中搭载三星 LPDDR6 RAM 芯片的客户，其即将推出的骁龙 8 Elite Gen 2将立即采用该技术，这款 SoC 预计将于 9 月 23 日举行的骁龙峰会上亮相。报告中并未提及其他潜在客户，但考虑到 LPDDR6 RAM 的优势，其他客户很快就会开始下单，届时三星将显著领先于长鑫存储。