据ETNews报道，苹果公司正在开发多项技术创新以纪念 iPhone 诞生 20 周年，而其正在考虑的一项关键技术是移动高带宽内存 (HBM)。HBM 是一种 DRAM，它将内存芯片垂直堆叠，并通过称为“硅通孔 (TSV)”的微型垂直互连技术连接起来，从而显著提高信号传输速度。

HBM 目前主要用于 AI 服务器，由于能够与 GPU 协同支持 AI 处理，因此通常被称为 AI 内存。

顾名思义，移动 HBM 是移动设备技术的一种变体，旨在提供极高的数据吞吐量，同时最大限度地降低功耗和 RAM 芯片的物理占用空间。苹果正在寻求增强设备上的 AI 功能，据ETNews报道，将移动 HBM 连接到 iPhone 的 GPU 单元被认为是实现这一目标的有力候选方案。

该技术可能是在设备上运行大规模人工智能模型的关键，例如大型语言模型推理或高级视觉任务，而不会耗尽电池或增加延迟。

报道指出，苹果可能已经与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商讨论了其计划，这两家公司都在开发自己的移动 HBM 版本。

据报道，三星正在使用一种名为 VCS（垂直铜柱堆叠）的封装方法，而 SK 海力士正在研究一种名为 VFO（垂直线扇出）的封装方法。两家公司都计划在 2026 年后实现量产。

不过，制造方面依然存在挑战。移动HBM的制造成本远高于目前的LPDDR内存。在iPhone等轻薄设备中，它还可能面临散热限制，而且3D堆叠和TSV技术需要高度复杂的封装和良率管理。

如果苹果确实在其 2027 年 iPhone 系列中采用这项技术，这将是该公司突破其 20 周年纪念版 iPhone 极限的又一例证，据传这款 iPhone 将采用完全无边框的显示屏，环绕设备的所有四个边缘弯曲。