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新一代3D X-DRAM技术亮相 提供比当前DRAM模块10倍的容量
发布日期:2025-05-08 16:55:54  稿源:快科技

NEO Semiconductor近日宣布推出两项新的3D X-DRAM单元设计——1T1C和3T0C,有望彻底改变DRAM内存的现状。这两种设计分别采用单晶体管单电容和三晶体管零电容的架构,预计将于2026年生产概念验证测试芯片,并将提供比当前普通DRAM模块10倍的容量。

基于NEO的3D X-DRAM技术,新设计的内存单元能够在单一模块上容纳512Gb(64GB)的容量,这比目前市面上任何模块至少多出10倍。

在NEO的测试模拟中,这些单元的读写速度达到10纳秒,保留时间超过9分钟,这两项性能指标均处于当前DRAM能力的前沿。

新设计采用了基于氧化铟镓锌(IGZO)的材料,1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建,采用堆叠设计,从而提高容量和吞吐量,同时保持节能状态。

NEO Semiconductor的首席执行官Andy Hsu表示:“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出,我们正在重新定义内存技术的可能性。这项创新突破了当今DRAM的扩展限制,使NEO成为下一代内存的领导者。”

NEO Semiconductor计划在本月的IEEE国际存储器研讨会上分享更多关于1T1C、3T0C以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的信息。

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