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复旦大学研制出超高速闪存 未来电脑将不存在内外存概念
发布日期:2025-04-17 09:58:14  稿源:快科技

日前,复旦大学宣布,时隔2周,继二维半导体芯片之后,复旦集成电路领域再获关键突破。据介绍,复旦大学周鹏、刘春森团队通过构建准二维泊松模型,在理论上预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限,研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件。

其擦写速度可提升至亚1纳秒(400皮秒),相当于每秒可执行25亿次操作,性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。

相关成果以《亚纳秒超注入闪存》为题在《自然》期刊上发表。

据了解,这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术,实现了存储、计算速度相当,在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。

在该技术基础上,未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念,无需分层存储,还能实现AI大模型的本地部署。

团队将“破晓”与CMOS结合,以此打造出的Kb级芯片目前已成功流片,下一步,计划在3-5年将其集成到几十兆的水平,届时可授权给企业进行产业化。

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