英特尔宣布，其与软银旗下子公司 SAIMEMORY 共同推进的 Z-Angle Memory（ZAM）次世代存储项目，已获得日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）的官方选定与资金支持，将通过政府补助的形式加速研发进程。

ZAM 被视为高带宽内存（HBM）的潜在替代方案，目标是在应对 AI 与高性能计算（HPC）领域存储短缺的同时，实现更高带宽、更大容量以及显著降低功耗。

根据英特尔日本公司（Intel K.K.）与 SAIMEMORY 最新发布的信息，ZAM 项目已被 NEDO 纳入资助计划，项目周期规划为约 3.5 年，将围绕面向 AI 时代的次世代堆叠式 DRAM 架构展开研发。这一架构被命名为 Z-Angle Memory，旨在在功耗与热设计约束日益趋严的大背景下，为数据中心与 AI 加速场景提供全新的内存形态。NEDO 的资金支持将帮助项目在技术攻关、制造验证以及供应链构建等方面加快节奏，以更快走向规模化商用。

英特尔方面表示，公司多年来一直在验证 ZAM 相关的基础科学与工程路径，包括在美国能源部旗下国家实验室的合作实验，以及在“下一代 DRAM 键合计划”中的技术探索。英特尔日本公司总裁大野诚信（Makoto Ohno）指出，此次获得 NEDO 资助，将有助于把这些前期积累推向更快的全球部署进程，同时进一步巩固未来数年内至关重要的美日技术合作伙伴关系。

在技术路径上，ZAM（Z-Angle Memory）锁定的核心指标包括：较现有方案降低约 40%–50% 的功耗、更为简化且利于制造的堆叠设计，以及单颗芯片最高可达 512GB 的超高容量密度。具体实现形式上，ZAM 采用多层紧密堆叠的 DRAM 芯片，每一层通过所谓的 Z-Angle 互连结构相连，并在基底芯片之下通过 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）与主计算芯片进行连接，以提升带宽并压缩功耗与封装复杂度。

在新的开发计划下，ZAM 不仅由英特尔与 SAIMEMORY 主导研发，还将广泛引入日本国内以及国际范围内的技术、制造和供应链合作伙伴，共同支持其在设计、量产以及生态构建等环节的推进。项目目标是在解决当前 AI 与 HPC 市场中日益突出的内存带宽和容量瓶颈的同时，为未来数代平台提供一种更具扩展性和能效优势的存储解决方案。

值得注意的是，ZAM 的推出也意味着英特尔将在时隔数十年后，再次以自有产品的形式正式回归存储器市场。在公司早期发展阶段，英特尔曾是全球存储器产业的重要参与者，然而最终在竞争中被日本厂商挤出主导地位；如今，正是日本企业与机构的参与与支持，帮助英特尔推动这一新一代内存技术走向现实，颇具历史意味。