SK 海力士于周五表示，其下一代高带宽内存 4（HBM4）芯片已完成内部认证流程，并为客户搭建了生产体系，力求保持对竞争对手的领先优势。这家韩国芯片制造商是人工智能巨头英伟达的核心供应商。今年 3 月，SK 海力士曾透露已向客户交付 12 层堆叠的 HBM4 芯片样品，并表示计划在今年下半年完成 12 层 HBM4 产品的量产准备工作。

HBM（高带宽内存）是 2013 年首次推出的一种动态随机存取存储器（DRAM）标准，通过芯片垂直堆叠的方式节省空间、降低功耗，助力处理复杂人工智能应用产生的海量数据。

美利证券（Meritz Securities）高级分析师金宣宇（Kim Sunwoo）预测，得益于向核心客户提前供应 HBM4 芯片并由此获得先发优势，2026 年 SK 海力士在 HBM 市场的份额将维持在 60% 出头的水平（今年其市场份额为 66%）。

目前，SK 海力士是英伟达的主要 HBM 供应商，三星电子（Samsung Electronics）和美光科技（Micron）也为英伟达供应 HBM 芯片，但供应量相对较少。

受 SK 海力士 HBM4 芯片生产计划的利好影响，该公司股价收盘创历史新高，上涨 7%，收于 32.85 万韩元（约合 236.71 美元），涨幅远超韩国综合股价指数（KOSPI）1.5% 的涨幅；三星电子股价收盘上涨 2.7%。

NH 投资证券（NH Investment & Securities）高级分析师柳英浩（Ryu Young-ho）表示：“目前在 HBM 领域的竞争中，三星电子一直处于落后地位，但该公司正试图缩小差距 ——SK 海力士的 HBM4 芯片采用 1b 纳米制程，而三星计划采用更先进的 1c 纳米制程。”

柳英浩补充称，三星在 HBM 领域的过往表现相对逊色，此次转向更先进的制程，表明其正加大力度追赶竞争对手。

三星电子曾在 7 月表示，已向客户提供 HBM4 芯片样品，并计划于明年开始供货。

SK 海力士一位高管上月在接受路透社采访时透露，由于 SK 海力士与美光、三星等竞争对手在下一代 HBM4 芯片的制造技术上发生了变化，他们的产品中均包含一个 “客户定制化逻辑芯片”（又称 “基底芯片”），该芯片用于管理内存。

这意味着，如今已无法用一款几乎相同的芯片或产品轻易替代竞争对手的内存产品。

今年以来，SK 海力士股价累计上涨 88.9%，远超韩国综合股价指数 41.5% 的涨幅；同期三星电子股价上涨 41.7%，在纳斯达克上市的美光科技股价上涨 78.9%。