在今天的台北电脑展（Computex 2021）主题演讲期间，AMD CEO 苏姿丰博士详细介绍了近期多次爆料过的所谓“Zen 3+”CPU 架构。虽然没有明确提及“Zen 3+”的名称，但她还是透露 AMD 与台积电合作开发了全新的 3D 芯片堆叠技术 —— 在结构硅衬底的基础上，运用了 TSV 硅通孔技术。

TechPowerUp 指出，AMD 在“Zen 3”CCD 模组的 64MB L3 缓存顶上设置了 64MB 的 SRAM 高速缓存，并将之称作 3D Vertical Cache 三维垂直缓存。

虽然不知道具体缓存的层次结构有怎样的改变，但这样新颖的理念还是让我们对其性能表现充满了好奇。

比如 64MB 附加缓存是否与片上 L3 缓存相邻，或者作为 L3 / L4 级缓存的一部分。

官方声称 3D 垂直缓存技术可将平均游戏性能提升 15%，凭借类似于代际升级的性能改良，AMD 有望在 Zen 4 到来之前，与英特尔 Rocket Lake-S 竞品“争锋相对”。

预计首批采用 3D 垂直缓存技术的 AMD 处理器将于 2021 年底开始到货，意味着它很可能就是传说中的锐龙 6000 系列台式处理器。而基于 5nm Zen 4 架构的锐龙 7000 系列，则定于 2022 年与大家见面。

至于 AMD 新 CPU 的终端发布计划，目前暂不得而知。此外在 Computex 2021 的主题演讲体验，AMD CEO 更多地还是展示了 Socket AM4 接口的产品。

最后，如果基于 AM5（LGA 1718）新接口的处理器能够在今年晚些时候到来，那 Zen 3+ / 3D 垂直缓存技术还是有望通过 IO 小芯片的更新，带来对 AM5 接口 / DDR5 内存的支持的。