英特尔或带来Intel 14A2工艺 进一步提升晶体管密度
在2024年2月21日举办IFS Direct Connect活动中，英特尔分享了Intel 18A工艺之后的计划，公布了新的工艺路线图，新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的演化版本。在Intel 14A上，英特尔将首次引入High-NA EUV光刻技术，预计2028年试产，2029年量产。
据Wccftech报道，台积电（TSMC）和三星都在积极推动1.4nm制程节点的开发，为此英特尔正在考虑更新工艺路线图，以更好地应对竞争对手。其中一点便是在原有Intel 14A基础上推出Intel 14A2（即Intel 14A Gen2），属于改良版的制程技术。
Intel 18A是英特尔首个支持PowerVia背部供电技术和GAA晶体管架构的制程技术，两项新技术为其带来了明显的PPA优势。其中PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络（PDN），通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 14A也将沿用背面供电，采用名为“PowerDirect”的设计，GAA晶体管架构也将升级至“RibbonFET 2”，从而在相同功率下，性能提升15%至20%，或者相同性能下，功耗降低25%至35%，另外晶体管密度也将提高最多30%。
到了Intel 14A2，英特尔计划缩小最低金属互连层（M0）的间距，从Intel 14A的28nm缩减至21nm，进一步提升了晶体管密度。原有专为背面供电设计的nTSV结构可能无法满足晶体管当前的电流密度要求，为此英特尔保留背面供电作为主要供电网络的同时，重新利用部分前部金属布线，以承担辅助供电及部分时钟信号传输的任务，从而通过双面供电设计，缓解供电压力。
虽然这种方案会增加布线的难度，但是有望在更为先进的制程节点下实现晶体管密度、供电和制造的平衡。
